R6010ANX

Rohm Semiconductor

R6010ANX

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM

Снят с производстваTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberR6010
FET TypeN-Channel
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность50W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-220FM

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)