R6007JND3TL1

Rohm Semiconductor

R6007JND3TL1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 7A TO252

В производствеTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs780mOhm @ 3.5A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds475 pF @ 100 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id7V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность96W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)