R6006JND3TL1

Rohm Semiconductor

R6006JND3TL1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 6A TO252

В производствеTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs936mOhm @ 3A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds410 pF @ 100 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id7V @ 800µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность86W (Tc)

Механические

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)