QS8M31TR

Rohm Semiconductor

QS8M31TR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8

В производстве8-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Базовый Part NumberQS8M31
КонфигурацияN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 10V, 750pF @ 10V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta), 2A (Ta)
Power - Max1.1W (Ta)

Механические

Package / Case8-SMD, Flat Leads
Корпус производителяTSMT8

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)