QS8K13TCR

Rohm Semiconductor

QS8K13TCR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8

В производстве8-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 6A, 10V
Базовый Part NumberQS8K13
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds390pF @ 10V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A
Power - Max550mW

Механические

Package / Case8-SMD, Flat Leads
Корпус производителяTSMT8

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)