QS5K2TR

Rohm Semiconductor

QS5K2TR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5

В производствеSOT-23-5 Thin, TSOT-23-5Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
Базовый Part NumberQS5K2
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Source
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds175pF @ 10V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A
Power - Max1.25W

Механические

Package / CaseSOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Корпус производителяTSMT5

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)