QH8MA3TCR

Rohm Semiconductor

QH8MA3TCR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8

В производстве8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 7A, 10V
Базовый Part NumberQH8MA3
КонфигурацияN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 15V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A, 5.5A
Power - Max1.5W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителяTSMT8

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)