QH8KE5TCR

Rohm Semiconductor

QH8KE5TCR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

100V 2.0A, DUAL NCH+NCH, TSMT8

В производстве8-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs202mOhm @ 2A, 10V
Конфигурация2 N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90pF @ 50V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Power - Max1.5W (Ta)

Механические

Package / Case8-SMD, Flat Leads
Корпус производителяTSMT8

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)