QH8KC6TCR

Rohm Semiconductor

QH8KC6TCR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8

В производстве8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.5A, 10V
Базовый Part NumberQH8KC6
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 30V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)
Power - Max1.1W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителяTSMT8

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)