Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | DRAM |
| Время доступа | 30 ns |
| Базовый Part Number | MSM51 |
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Obsolete |
| Время цикла записи | 110ns |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | DRAM |
| Время доступа | 30 ns |
| Базовый Part Number | MSM51 |
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Obsolete |
| Время цикла записи | 110ns |
| Объем памяти | 16Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 4M x 4 |
| Корпус | Tube |
|---|
| Рабочая температура | 0°C~70°C(TA) |
|---|