HS8MA2TCR1

Rohm Semiconductor

HS8MA2TCR1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 9DFN

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Базовый Part NumberHS8MA2
КонфигурацияN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds320pF @ 10V, 365pF @ 10V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta), 7A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителяDFN3333-9DC

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)