EMH10T2R

Rohm Semiconductor

EMH10T2R

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

В производствеSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberEMH10
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)22kOhms
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce56 @ 5mA, 5V
Power - Max150mW
Frequency - Transition250MHz

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Корпус производителяEMT6