EMB3T2R

Rohm Semiconductor

EMB3T2R

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

В производствеSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberEMB3T2
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)4.7kOhms
Transistor Type2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 5mA

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Power - Max150mW
Frequency - Transition250MHz

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Корпус производителяEMT6