EMB10FHAT2R

Rohm Semiconductor

EMB10FHAT2R

Аналоговые и силовые компоненты

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Снят с производстваSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberEMB10
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
Resistor - Base (R1)2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)47kOhms
Transistor Type2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Power - Max150mW
Frequency - Transition250MHz

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Корпус производителяEMT6

Среда

GradeAutomotive
QualificationAEC-Q101