EM6M1T2R

Rohm Semiconductor

EM6M1T2R

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

Снят с производстваSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8Ohm @ 10mA, 4V
Базовый Part NumberEM6M1
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13pF @ 5V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA, 200mA
Power - Max150mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Корпус производителяEMT6

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)