BSS84XHZGG2CR

Rohm Semiconductor

BSS84XHZGG2CR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W

В производстве3-XFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3Ohm @ 230mA, 10V
Базовый Part NumberBSS84
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds34 pF @ 30 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C230mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
Корпус производителяDFN1010-3W

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)