Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | BSM600 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28000 pF @ 10 V |
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 182mA |
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 2460W (Tc) |
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | Module |
| Корпус производителя | Module |
| Рабочая температура | 175°C(TJ) |
|---|