BSM180D12P3C007

Rohm Semiconductor

BSM180D12P3C007

Аналоговые и силовые компоненты

SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE

В производствеModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberBSM180
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 10V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 50mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
Power - Max880W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseModule
Корпус производителяModule

Среда

Рабочая температура175°C (TJ)