BS2101F-E2

Rohm Semiconductor

BS2101F-E2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP

Снят с производства8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberBS2101
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHigh-Side or Low-Side
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusLast Time Buy
Rise / Fall Time (Typ)60ns, 20ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)60mA, 130mA
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600 V
Logic Voltage - VIL, VIH1V, 2.6V
Напряжение питания10V ~ 18V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Корпус производителя8-SOP

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C(TA)