BM60212FV-CE2

Rohm Semiconductor

BM60212FV-CE2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP

В производстве20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberBM60212
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHigh-Side and Low-Side
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)50ns, 50ns
СерияAutomotive, AEC-Q100

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)4.5A, 3.9A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)1200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2V
Напряжение питания10V ~ 24V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Корпус производителя20-SSOP-BW

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C(TA)