BD2320EFJ-LAE2

Rohm Semiconductor

BD2320EFJ-LAE2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

100 V VB 3.5 A/4.5 A PEAK CURREN

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHigh-Side and Low-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)8ns, 6ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)3.5A, 4.5A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)100 V
Logic Voltage - VIL, VIH1.7V, 1.5V
Напряжение питания7.5V ~ 14.5V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Корпус производителя8-HTSOP-J

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C(TA)