BAS21VMTE-17

Rohm Semiconductor

BAS21VMTE-17

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 200V 200MA UMD2

В производствеSC-90, SOD-323FАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberBAS21
Capacitance @ Vr, F2.5pF @ 0V, 1MHz
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 200 mA
Current - Average Rectified (Io)200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr100 nA @ 200 V
СкоростьSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-90, SOD-323F
Корпус производителяUMD2

Среда

Operating Temperature - Junction150°C (Max)