BAS16HMT116

Rohm Semiconductor

BAS16HMT116

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 80V 215MA SSD3

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberBAS16
Capacitance @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)4 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 150 mA
Current - Average Rectified (Io)215mA
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 80 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSSD3

Среда

Operating Temperature - Junction150°C (Max)