2SK3065T100

Rohm Semiconductor

2SK3065T100

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 2A MPT3

Снят с производстваTO-243AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs320mOhm @ 1A, 4V
Базовый Part Number2SK3065
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность500mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-243AA
Корпус производителяMPT3

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)