Общие
| Производитель | Rohm Semiconductor |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 50mA, 2A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 500mA, 4V |
| Power - Max | 2 W |
| Frequency - Transition | 40MHz |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус производителя | TO-220FN |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|