Общие
| Производитель | Rohm Semiconductor |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.2mA, 600mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 500mA, 2V |
| Power - Max | 1 W |
Механические
| Корпус | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | 3-SIP |
| Корпус производителя | ATV |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|