Общие
| Производитель | Rohm Semiconductor |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tape & Box (TB) |
| Статус позиции | Устаревший |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 2V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 310MHz |
Механические
| Package / Case | 3-SIP |
|---|---|
| Корпус производителя | ATV |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|