Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 7A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 35A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3W (Ta), 22W (Tc) |
| Package / Case | 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) |
|---|---|
| Корпус производителя | 8-HSOP |
| Рабочая температура | 150°C |
|---|