RQA0002DNSTB-E

Renesas

RQA0002DNSTB-E

Аналоговые и силовые компоненты

RQA0002DNS - N CHANNEL MOSFET

Устаревший3-DFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds102 pF @ 0 V
ПроизводительRenesas
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id750mV @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток16 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность15W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / Case3-DFN Exposed Pad
Корпус производителя2-HWSON (5x4)

Среда

Рабочая температура150°C