RJK6013DPP-E0#T2

Renesas

RJK6013DPP-E0#T2

Аналоговые и силовые компоненты

RJK6013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA

УстаревшийTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 5.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 25 V
ПроизводительRenesas
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность30W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-220FP

Среда

Рабочая температура150°C