RJK5030DPD-03#J2

Renesas

RJK5030DPD-03#J2

Аналоговые и силовые компоненты

RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds550 pF @ 25 V
ПроизводительRenesas
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность41.7W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяMP-3A

Среда

Рабочая температура150°C