NP82N10PUF-E1-AY

Renesas

NP82N10PUF-E1-AY

Аналоговые и силовые компоненты

NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF

УстаревшийАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 41A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4350 pF @ 25 V
ПроизводительRenesas
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5.8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C82A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.8W (Ta), 150W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Корпус производителяTO-263-3

Среда

Рабочая температура175°C