HAT1096C-EL-E

Renesas

HAT1096C-EL-E

Аналоговые и силовые компоненты

HAT1096C - P-CHANNEL POWER MOSFE

Устаревший6-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs293mOhm @ 500µA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds155 pF @ 10 V
ПроизводительRenesas
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность790mW (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / Case6-SMD, Flat Leads
Корпус производителя6-CMFPAK

Среда

Рабочая температура150°C