Renesas Electronics Corporation
MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 24A, 5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.5W (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Корпус производителя | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|