Renesas Electronics Corporation
MOSFET P-CH 30V 13A 8DFN
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 13A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1860 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.5W (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|