UPA2800T1L-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

UPA2800T1L-E1-AY

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 17A 8DFN

Устаревший8-VDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 17A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1770 pF @ 15 V
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Корпус производителя8-DFN3333 (3.3x3.3)