UPA2690T1R-E2-AX

Renesas Electronics Corporation

UPA2690T1R-E2-AX

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6HUSON

В производстве6-WFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 2A, 4.5V
Базовый Part NumberUPA2690
КонфигурацияN and P-Channel Complementary
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 10V
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A, 3A
Power - Max2.3W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-WFDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-HUSON (2x2)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)