UPA2680T1E-E2-AT

Renesas Electronics Corporation

UPA2680T1E-E2-AT

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 3A 6MLP

Устаревший6-VDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 3A, 10V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190 pF @ 10 V
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-MLP (3x3)