UPA2670T1R-E2-AX

Renesas Electronics Corporation

UPA2670T1R-E2-AX

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON

Устаревший6-WFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs79mOhm @ 1.5A, 4.5V
Базовый Part NumberUPA2670
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 1.8V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds473pF @ 10V
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Power - Max2.3W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-WFDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-HUSON (2x2)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)