Renesas Electronics Corporation
MOSFET N-CH 20V 6A 8HUSON
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 3A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1W (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 8-HUSON (2.7x2) |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|