Renesas Electronics Corporation
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8VSOF
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 7.2A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.1W (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Корпус производителя | 8-VSOF |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|