RJM0306JSP-01#J0

Renesas Electronics Corporation

RJM0306JSP-01#J0

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8SOP

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 2A, 10V
Базовый Part NumberRJM0306
Конфигурация2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 10V
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A
Power - Max2.2W

Механические

КорпусTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOP