RJK5030DPD-00#J2

Renesas Electronics Corporation

RJK5030DPD-00#J2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 500V 5A MP3A

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 2A, 10V
Базовый Part NumberRJK5030
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds550 pF @ 25 V
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V

Электрические

Напряжение сток-исток500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность41.7W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяMP-3A

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)