RJK4002DPP-M0#T2

Renesas Electronics Corporation

RJK4002DPP-M0#T2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 400V 3A TO220FL

В производствеTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.9Ohm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds165 pF @ 25 V
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V

Электрические

Напряжение сток-исток400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность20W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-220FL

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)