RJK03P9DPA-00#J5A

Renesas Electronics Corporation

RJK03P9DPA-00#J5A

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 20A/50A 8WPAK

Устаревший8-WFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 10A, 10V
Базовый Part NumberRJK03P9
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1660pF @ 10V
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A, 50A
Power - Max15W, 35W

Механические

КорпусBulk
Package / Case8-WFDFN Exposed Pad
Корпус производителя8-WPAK

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)