Renesas Electronics Corporation
MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 7A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 980 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 10W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Корпус производителя | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|