RJK03M2DPA-00#J5A

Name: RJK03M2DPA-00#J5A
Brand: Renesas Electronics Corporation

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK

В производстве8-WFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 22.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3850 pF @ 10 V
Производитель	Renesas Electronics Corporation
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V

Напряжение сток-исток	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	45A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	40W (Tc)

Рабочая температура	150°C (TJ)