Renesas Electronics Corporation
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 15A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3050 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 20W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Корпус производителя | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|