RJJ0315DPA-00#J5A

Renesas Electronics Corporation

RJJ0315DPA-00#J5A

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 35A

Устаревший8-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 17.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4300 pF @ 10 V
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность30W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / Case8-WDFN Exposed Pad

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)