Общие
| Тип программной памяти | FLASH |
|---|---|
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип генератора | Internal |
| Упаковка | Tray |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | RA6T3 |
Renesas Electronics Corporation
R7FA6T3BB3CNE#BA0
DatasheetМикроконтроллеры и встраиваемые системы
MCU:RA
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Ядро процессора | ARM® Cortex®-M33 |
|---|---|
| Разрядность ядра | 32-Bit |
| Скорость | 200MHz |
| Объем программной памяти | 256KB (256K x 8) |
| Объем RAM | 40K x 8 |
| Периферия | DMA, LVD, POR, PWM, WDT |
| Интерфейсы | CANbus, EBI/EMI, I2C, I3C, IrDA, MMC/SD, SCI, SPI, UART/USART, USB |
| Количество I/O | 29 |
| Voltage - Supply (Vcc/Vdd) | 2.7V ~ 3.6V |
| Преобразователи данных | A/D 8x12b SAR |
Механические
| Объем EEPROM | 4K x 8 |
|---|---|
| Корпус производителя | 48-HWQFN (7x7) |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C (TA) |
|---|